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　　場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。

　　根據(jù)柵的結(jié)構(gòu)，場效應(yīng)晶體管可以分為三種：

　　①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)；

　　②MOS場效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極，見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）；

　　③MES場效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應(yīng)管使用最廣泛。尤其在大規(guī)模的發(fā)展中，MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。

　　在MOS器件的基礎(chǔ)上，又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。