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最近在德國(guó)慕尼黑舉行的會(huì)議上,JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織討論了有關(guān)改進(jìn)一系列與存儲(chǔ)器相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的問(wèn)題,并創(chuàng)建了一個(gè)新的固態(tài)硬盤(pán)委員會(huì),重新開(kāi)始推動(dòng)行業(yè)向閃存式硬盤(pán)的過(guò)渡。

來(lái)自三星的新JC-64工作組主席Mian Quddus表示:“固態(tài)硬盤(pán)(SSD)已經(jīng)可以標(biāo)準(zhǔn)化了。”這個(gè)SSD組織目前已經(jīng)有了約60名成員。

Quddus表示,固態(tài)硬盤(pán)的標(biāo)準(zhǔn)化將以外形為重點(diǎn),標(biāo)準(zhǔn)尺寸將在0.8～2.5英寸之間。

另外,接口、指令協(xié)議、電源和電源管理等都是該工作組關(guān)心的問(wèn)題。作為SSD的一個(gè)主要部分,非易失性存儲(chǔ)芯片也將標(biāo)準(zhǔn)化,面向它的接口和指令協(xié)議將會(huì)由工作組限定。而且,開(kāi)發(fā)面向控制器和SSD主板的參考設(shè)計(jì)也是該工作組的目標(biāo)。

JC-64標(biāo)準(zhǔn)組織領(lǐng)頭人、美光科技的Jim Cooke表示,開(kāi)發(fā)一個(gè)名為通用閃存(UFS)的接口是該組織的長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo),該接口基本上可以支持任何非易失性存儲(chǔ)器,包括相變RAM、 FeRAM或MRAM等每一類(lèi)未來(lái)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。

UFS的其它設(shè)計(jì)目標(biāo)還包括實(shí)現(xiàn)至少2 Gbit/s的數(shù)據(jù)率、低管腳數(shù)和低功耗。Cooke表示,整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化程序有望在2009年初完成。

實(shí)際上,非易失性存儲(chǔ)技術(shù)似乎是這一系列會(huì)議的主題-盡管沒(méi)有公開(kāi)。一位不愿透露姓名的與會(huì)人員表示:“幾乎99%的與會(huì)者都在投身非易失性存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā),但就是沒(méi)人討論這一技術(shù)。”

在正在進(jìn)行的DDR3標(biāo)準(zhǔn)的改進(jìn)中,JEDEC的目標(biāo)是進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)傳輸帶寬。JC42.3附屬委員會(huì)主席Todd Farell表示,該組織提出了這么一個(gè)目標(biāo),在2008年讓DDR3-1600實(shí)現(xiàn)25.6 GB/s的帶寬；目前1066的前端總線(xiàn)時(shí)鐘周期支持17 GB/s的帶寬。一個(gè)名為JESD79-3A的單獨(dú)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)獲得批準(zhǔn),將于9月份發(fā)布。

此次系列會(huì)議的另一個(gè)話(huà)題是DDR4。JEDEC的Future DRAM任務(wù)組組長(zhǎng)Dong-yang Lee表示,該組的目標(biāo)是在降低功耗的同時(shí)提高性能和密度。Lee表示, DDR4的電壓將會(huì)從如今DDR3內(nèi)存芯片中所用的降低到,而數(shù)據(jù)率則將是DDR3的兩倍。同時(shí),該任務(wù)組的工程師還會(huì)努力降低成本。

GDDR5高性能圖形存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)也是此次會(huì)議的重點(diǎn)。與GDDR4相比,GDDR5的數(shù)據(jù)量是其兩倍,主要應(yīng)用方向是游戲機(jī)、專(zhuān)業(yè)P2P消費(fèi)電子設(shè)備和數(shù)據(jù)流計(jì)算。GDDR5任務(wù)組主席、AMD公司的Joe Macri解釋說(shuō):“實(shí)際上這是個(gè)很大的市場(chǎng)。這是面向大眾的超級(jí)計(jì)算。”

GDDR5芯片將帶有一個(gè)內(nèi)置的誤差檢測(cè)協(xié)議,它和如今存儲(chǔ)器中所用的ECC方案不同。這種芯片的設(shè)計(jì)功耗將為2W,數(shù)據(jù)率為5 Gb/s。低功耗特征使其在更低數(shù)據(jù)傳輸率下時(shí)鐘速率更慢,當(dāng)然功耗也就更低。

Macri表示,第一批GDDR5芯片樣品將于2008年問(wèn)世,量產(chǎn)也將于2008年開(kāi)始。