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哪個(gè)含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產(chǎn)品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復(fù)縈繞著這個(gè)問題。TI新發(fā)布的F3 FemtoFET，聲稱其產(chǎn)品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚(yáng)的沙礫。

圖1：F3 FemtoFET組合尺寸

查看最新產(chǎn)品，加入下表包括超低容量產(chǎn)品CSD15380F3在內(nèi)的FemtoFET產(chǎn)品組合，。

表1 F3 FemtoFETs

體積如此之小的設(shè)備，一個(gè)關(guān)鍵的考慮點(diǎn)是如何使用表面裝配技術(shù)（SMT）將FemtoFET與面板連接。設(shè)備面板的焊盤距離是影響客戶SMT設(shè)備能否處理組合產(chǎn)品的關(guān)鍵因素。大多數(shù)的高容量個(gè)人電子產(chǎn)品制造商擁有可以處理最小0.35mm焊盤距離的SMT設(shè)備，但部分工業(yè)用客戶的SMT設(shè)備最小焊盤距離僅能到0.5mm。

FemtoFET的連接盤網(wǎng)格陣列（LGA）封裝與硅芯片級封裝（CSP）相似，唯一的不同是LGA沒有附加錫球。F3 FemtoFET上的鍍金leads保留著與TI前代產(chǎn)品F4 FemtoFET一樣的0.35mm焊盤距離。這就給使用體積更小產(chǎn)品的F4客戶更強(qiáng)的信心，即他們的SMT設(shè)備可處理F3 FemtoFET。

為了使FemtoFET能應(yīng)用到工業(yè)用設(shè)備，TI同時(shí)推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產(chǎn)品，并將電壓范圍擴(kuò)充至60V。了解更多60V F5設(shè)備，請閱讀我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)設(shè)備體積。”

TI推薦使用無鉛（SnAgCu）SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏，但體積更小的第四類焊錫膏則是更優(yōu)選擇。焊膏應(yīng)免清洗，且可溶于水。不過，在面板安裝之后用焊劑進(jìn)行清洗仍不失為是個(gè)絕妙主意。

使用面板模子在面板上標(biāo)出將施加焊錫膏的點(diǎn)位。模子的厚度以及開口的長寬是重要的參數(shù)。模子最厚應(yīng)不超過100μm。

低漏電型FemtoFET可用于各類可穿戴設(shè)備和個(gè)人通訊設(shè)備。由于柵極漏電和漏極漏電的單位數(shù)僅為納米安培級，F(xiàn)emtoFET可協(xié)助保證您的個(gè)人電子設(shè)備的充電電池可支撐使用一整天。自2013年以來，F(xiàn)emtoFET產(chǎn)品發(fā)行量已超過五億。這個(gè)夏天，我正在長灘島度假，在我的夢中，全都是這些有著完美焊盤距離的沙粒。更多內(nèi)容，請點(diǎn)擊閱讀TI FemtoFET MOSFETS 產(chǎn)品家族。

其他信息

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原文鏈接：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/27/turning-sand-into-gold