BFP840FESD 是高性能 HBT（異質結雙極晶體管），專門設計用于 5-6 GHz WiFi 應用。該設備基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技術。BFP840FESD 提供固有良好輸入和輸出功率匹配以及固有良好噪聲匹配（5-6 GHz 時）。不使用有損外部匹配組件的同時噪聲和功率匹配可使外部部件數量較少、噪聲指數極佳且 WiFi 應用中的變換器增益非常高。輸入和輸出中的集成保護元件使該設備可有效防止 ESD 和過度射頻輸入功率。該設備可采用低電流和電壓提供高性能，特別適合于能效為關鍵要求的便攜式電池供電應用。該設備采用易于使用的薄型扁平封裝（帶可視引線）
堅固的高性能低噪聲放大器，基于 Infineon 可靠的高容量 SiGe:C 晶片技術
2 kV ESD 堅固性 (HBM)，得益于集成保護電路
較高的最大射頻輸入功率：21 dBm
0.6 dB 最低噪聲
26 dB 最大增益
5.5 GHz、25 mA 時具有 23.5 dBm OIP3 典型值
提供準確的 SPICE GP 型號，以在流程中實現有效的設計
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | NPN |
| 最大直流集電極電流 | 35 mA |
| 最大集電極-發射極電壓 | 2.25 V |
| 封裝類型 | TSFP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 75 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大集電極-基極電壓 | 2.9 V |
| 最大工作頻率 | 85 GHz |
| 引腳數目 | 4 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
