日韩视频在线精品视频免费观看-日韩视频在线观看中字-日韩视频在线观看一区-日韩视频在线观看免费-日韩视频在线观看-日韩视频在线播放

當 N 溝道不適合您的設計時，P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設計，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設備系列，基于 Nexperia 的領先 Trench 技術。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

20 V，P 溝道 Trench MOSFET，P 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。

Trench MOSFET 技術
低閾值電壓
超快切換
增強型功耗能力：Ptot = 980 mW
靜電放電 (ESD) 保護 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
LED 驅動器
電源管理
高側負載開關
開關電路