這款低閾值增強型（常閉）晶體管采用垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關和放大應用。
無次級擊穿
低功率驅動要求
易于并聯
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 280 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-236AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 長度 | 3.04mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 1.4mm |
